[发明专利]用于芯片级封装的电连接有效
| 申请号： | 201210020437.2 | 申请日： | 2012-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103035596A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 游明志;林文益;李福仁;林柏尧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于提供后钝化开口和接触下金属化层的系统和方法。实施例包括穿过后钝化层的开口，该开口具有第一尺寸和第二尺寸，第一尺寸大于第二尺寸，其中，第一尺寸垂直于芯片的热膨胀系数失配方向进行对准。通过以这种方式成型和对准穿过后钝化层的开口，后钝化层有助于防护下面的层免受由材料的热膨胀系数的失配所生成的应力。本发明还提供了用于芯片级封装的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 芯片级 封装 连接 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：后钝化层，位于衬底上方，所述衬底具有热膨胀系数失配的第一方向；以及；第一开口，穿过所述后钝化层，所述第一开口具有第一尺寸和第二尺寸，所述第二尺寸小于所述第一尺寸，其中，所述第一尺寸垂直于所述热膨胀系数失配的第一方向进行对准。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210020437.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：压接式端子
- 下一篇：用于天线调谐器计算的反馈接收器
