[发明专利]磁控溅射技术制备硅基锗量子点的方法无效
| 申请号： | 201210019953.3 | 申请日： | 2012-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102534533A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨宇;靳映霞;叶小松;李亮;关中杰;王茺 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人： | 赵云 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体低维结构薄膜材料的制备方法，特别是使用磁控溅射技术，基于低温生长高温退火的两步法，制备大高宽比Ge量子点的制备方法。本发明采用直流磁控溅射技术，工作室保持高真空环境，使用氩气作为工作气体，在工作室溅射压强0.5Pa～2Pa，生长温度200℃~500℃，溅射功率为50W~100W的条件下，在硅基底材料上直接生长一层﹤30nm的Ge薄膜，然后通过原位600℃～800℃退火，降温至室温，制备单层Ge量子点。本发明具有生产成本低、可控性好、简易而高效、易于产业化生产制备Ge量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 技术 制备 硅基锗 量子 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射技术制备硅基锗量子点的方法，工作室保持高真空环境，使用氩气作为工作气体，其特征在于：采用直流磁控溅射技术，在工作室溅射压强0.5Pa～2Pa，生长温度200℃~500℃，溅射功率为50W~100W的条件下，在硅基底材料上直接生长一层﹤30nm的Ge薄膜，然后通过原位600℃～800℃退火，降温至室温，制备单层Ge量子点。
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