[发明专利]基板处理装置的干式清洁方法有效
申请号: | 201210015269.8 | 申请日: | 2012-01-17 |
公开(公告)号: | CN102605344A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 军司勋男;井泽友策;伊藤仁;梅崎智典;武田雄太;毛利勇 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;中央硝子株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;B08B7/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够比以往高效地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。该基板处理装置的干式清洁方法通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜,即,氧化金属膜而形成金属氧化物的工序、使金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使络合物升华的工序,边将处理腔室内加热,边向处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体,且将清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为金属氧化物的产生速度不超过络合物的产生速度的范围。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 清洁 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置的干式清洁方法,其特征在于,通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜:氧化所述金属膜而形成金属氧化物的工序、使所述金属氧化物与β‑二酮反应而形成络合物的工序、和使所述络合物升华的工序,边将所述处理腔室内加热,边向所述处理腔室内供给含有氧和β‑二酮的清洁气体,且将所述清洁气体中的氧相对于β‑二酮的流量比设为所述金属氧化物的产生速度不超过所述络合物的产生速度的范围。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的