[发明专利]基板处理装置的干式清洁方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置的干式清洁方法。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，已知有将附着在成膜装置等的基板处理装置的处理腔室内的金属膜等通过干式工艺进行干式清洁的方法。这样的金属中，由于Ni(镍)、Co(钴)、Cu(铜)、Ru(钌)等的卤化化合物不同于W(钨)、Ti(钛)、Ta(钽)等，其蒸汽压非常低，所以在采用以往一直使用的ClF₃等蚀刻气体时，在干式清洁中需要高温。作为由低温工艺除去这些金属的方法，已知有将对象金属用O₂(氧)一次氧化后使其与六氟乙酰丙酮(Hhfac)等β-二酮反应，使金属络合物形成、升华并排气的方法(例如，参照专利文献1、非专利文献1。)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第4049423号公报

非专利文献

非专利文献1：J.Electrochem.Soc.，Vol.142，No.3，P961(1995)

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的发明者们对于将对象金属用O₂(氧)一次氧化后使其与六氟乙酰丙酮(Hhfac)等β-二酮反应，使金属络合物形成、升华并排气的方法，一直以来进行了反复研究，明确了在该方法中存在如下的问题。

即，在上述方法中，若过度氧化金属，则存在与六氟乙酰丙酮的反应性急剧降低，蚀刻反应停止的情况。因此，干式清洁的效率就会降低，或不能进行干式清洁。而且，这样的现象特别是在金属为Ni(镍)时很显著。

本发明就是针对上述情况而做出的发明，其目的在于提供一种能够比以往高效率地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。

用于解决课题的方法

本发明的基板处理装置的干式清洁方法的一个方式，为一种基板处理装置的干式清洁方法，其特征在于，通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜，即，氧化上述金属膜而形成金属氧化物的工序、使上述金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使上述络合物升华的工序，边将上述处理腔室内加热，边向上述处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将上述清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为上述金属氧化物的产生速度不超过上述络合物的产生速度的范围。

本发明的基板处理装置的干式清洁方法的另一个方式，为一种基板处理装置的干式清洁方法，其特征在于，通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的镍膜，即，氧化上述镍膜而形成镍氧化物的工序、使上述镍氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使上述络合物升华的工序，边将上述处理腔室内加热，边向上述处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将上述清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为上述镍氧化物的产生速度不超过上述络合物的产生速度的范围。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种能够比以往高效率地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的CVD装置的整体结构的图。

图2是表示图1的CVD装置的处理腔室的概略结构的图。

图3是表示Ni的蚀刻厚度与氧流量的关系的图表。

图4是表示各温度下的Ni的蚀刻厚度与氧流量的关系的图表。

图5是各个加热温度下的最高蚀刻速率的阿累尼乌斯标绘图的图表。

图6是表示Ni的蚀刻厚度与分压比的关系的图表。

图7是表示Ni的蚀刻厚度与分压比的关系的图表。

图8是表示各总压下的最适分压比与温度的关系的图表。

图9是表示最适分压比与温度的关系的图表。

图10是表示Ni的蚀刻速率与分压比的关系的图表。

图11是表示气体的供给例的图。

图12是以分压比与温度的关系表示氧气的供给量的例子的图表。

图13是表示包括还原工序的气体的供给例的图。

图14是表示包括还原工序的气体的供给例的图。

符号说明

10…处理腔室，11…台，12…升降销，13…喷淋头，14…气体喷出孔，100…CVD装置。

具体实施方式

以下，参照附图，针对实施方式对本发明的详细内容进行说明。