[发明专利]一种检测光刻机焦距偏移的方法有效
| 申请号： | 201210014990.5 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102566315A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 夏婷婷;毛智彪;马兰涛 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G01M11/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测光刻机焦距偏移的方法。本发明一种检测光刻机焦距偏移的方法，通过依靠监测实际量测图形与参考图形相似程度从而监测光刻机焦距的偏移，不仅能够及时有效地通过量测量产的晶圆来判断光刻机台焦距的变化情况，还能不受量测干扰从而避免其带来的判断误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 光刻 焦距 偏移 方法 | ||
【主权项】：
一种检测光刻机焦距偏移的方法，在光刻机正常工作时，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：曝光一参考晶圆，根据该曝光后的参考晶圆上的图形建立一扫描电子显微镜的量测程式，并设置该曝光后参考晶圆上的图形为参考图形；步骤S2：设置曝光条件随着光刻机焦距变化而变化，曝光测试晶圆，并设置该曝光后的测试晶圆上的图形为测量图形；步骤S3：通过上述量测程式，建立测量图形与参考图形的相似度分值和光刻机焦距之间的关系曲线，并确定作为警报点的相似度分值；步骤S4：将警报点的相似度分值输入至量测程式，并利用该量测程式进行后续光刻工艺中光刻机焦距偏移量的检测。
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