[发明专利]基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法有效
| 申请号： | 201210009958.8 | 申请日： | 2012-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN102583330A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;邓鹏飞;张玉明;张克基;雷天民 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；将清洗后的SiC样片置于石英管中，利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管，在800-1100℃下SiC与气态CCl4反应，生成双层碳膜；然后再将生成的双层碳膜样片的碳面置于Cu膜上，再将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火15-25min生成双层石墨烯；最后将Cu膜从双层石墨烯样片上取开。本发明具有工艺简单，安全性高，双层石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低的优点，可用于对气体和液体的密封。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cu 辅助 退火 sic 衬底 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法，包括以下步骤：(1)对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；(2)将清洗后的SiC样片置于石英管中，加热至800‑1000℃；(3)对装有CCl4液体的三口烧瓶加热至60‑80℃，利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管中与SiC反应30‑120min，生成双层碳膜；(4)将生成的双层碳膜样片的碳面置于Cu膜上，再将它们一同置于Ar气中在温度为900‑1100℃下退火15‑25分钟，使双层碳膜重构成双层石墨烯，再将Cu膜从双层石墨烯样片上取开。
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