[发明专利]基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法有效
| 申请号： | 201210009958.8 | 申请日： | 2012-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN102583330A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;邓鹏飞;张玉明;张克基;雷天民 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 cu 辅助 退火 sic 衬底 石墨 制备 方法 | ||
1.一种基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法，包括以下步骤：
(1)对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；
(2)将清洗后的SiC样片置于石英管中，加热至800-1000℃；
(3)对装有CCl4液体的三口烧瓶加热至60-80℃，利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管中与SiC反应30-120min，生成双层碳膜；
(4)将生成的双层碳膜样片的碳面置于Cu膜上，再将它们一同置于Ar气中在温度为900-1100℃下退火15-25分钟，使双层碳膜重构成双层石墨烯，再将Cu膜从双层石墨烯样片上取开。
2.根据权利要求1所述的基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法，其特征在于所述步骤(1)对SiC样片进行清洗，是先使用NH4OH+H2O2试剂浸泡SiC样片10分钟，取出后烘干，以去除样片表面有机残余物；再使用HCl+H2O2试剂浸泡样片10分钟，取出后烘干，以去除离子污染物。
3.根据权利要求1所述的基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法，其特征在于所述步骤(3)中Ar气流速为50-80ml/min。
4.根据权利要求1所述的基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法，其特征在于所述步骤(4)退火时Ar气的流速为25-100ml/min。
5.根据权利要求1所述的基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法，其特征在于所述步骤(4)中的Cu膜厚度为250-300nm。
6.根据权利要求1所述的基于Cu膜辅助退火的SiC衬底上石墨烯制备方法，其特征在于所述SiC样片的晶型采用4H-SiC或6H-SiC。
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