[发明专利]碲基复合薄膜作为SOI材料的应用及其功率器件无效
| 申请号： | 201210008820.6 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102522365A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 辜敏;甘平;鲜晓东 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 张先芸 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开碲基复合薄膜作为SOI材料的应用，所述碲基复合薄膜为含SiO2颗粒之间嵌有TeO2和/或Te形成Te/TeO2－SiO2的复合薄膜结构。将碲基复合薄膜应用于SOI器件中，制备以碲基复合薄膜作为硅绝缘层的SOI结构的肖特基二极管器件。通过实验研究证明所述碲基复合薄膜具有高电阻特性、相对介电常数较小、大禁带宽度、高临界击穿电场、高电子迁移率等特点,成为SOI器件制备的理想绝缘材料。本发明解决SOI材料绝缘层的问题，以及开拓碲基复合薄膜的应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 薄膜 作为 soi 材料 应用 及其 功率 器件 | ||
【主权项】：
碲基复合薄膜作为SOI材料的应用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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