[发明专利]记忆体阵列的程序化方法有效
申请号: | 201210004407.2 | 申请日: | 2012-01-04 |
公开(公告)号: | CN103198857A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 蔡文哲 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C8/14 | 分类号: | G11C8/14 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种记忆体阵列的程序化方法,其中,记忆体阵列包括由第一晶体管、多个记忆胞与第二晶体管串接而成的记忆胞串,且记忆体阵列的程序化方法包括下列步骤。在设定阶段内,关闭这些记忆胞中的切换记忆胞,并施加第一电压与第二电压至切换记忆胞的第一源极/漏极区与第二源极/漏极区。在程序化阶段内,浮接与记忆胞串相连的位元线,并提供斜波信号至与切换记忆胞电性相连的字元线。本发明由于位元线在程序化阶段内是处在浮接的状态,故可降低流经记忆胞串的电流。另外,本发明还可藉由位元线在浮接状态下所贡献的等效电容,来致使位于不同字元线上的选定记忆胞皆具有相同的程序化速度,进而有助于增加记忆体阵列的可靠性与整体效能。 | ||
搜索关键词: | 记忆体 阵列 程序化 方法 | ||
【主权项】:
一种记忆体阵列的程序化方法,其特征在于其中该记忆体阵列包括由一第一晶体管、多个记忆胞与一第二晶体管串接而成的一记忆胞串,且该记忆体阵列的程序化方法包括以下步骤:在一设定阶段内,关闭该些记忆胞中的一切换记忆胞,并施加一第一电压与一第二电压至该切换记忆胞的一第一源极/漏极区与一第二源极/漏极区;以及在一程序化阶段内,浮接与该记忆胞串相连的一位元线,并提供一斜波信号至与该切换记忆胞电性相连的一字元线。
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