[发明专利]记忆体阵列的程序化方法

权利要求书

1.一种记忆体阵列的程序化方法，其特征在于其中该记忆体阵列包括由一第一晶体管、多个记忆胞与一第二晶体管串接而成的一记忆胞串，且该记忆体阵列的程序化方法包括以下步骤：

在一设定阶段内，关闭该些记忆胞中的一切换记忆胞，并施加一第一电压与一第二电压至该切换记忆胞的一第一源极/漏极区与一第二源极/漏极区；以及

在一程序化阶段内，浮接与该记忆胞串相连的一位元线，并提供一斜波信号至与该切换记忆胞电性相连的一字元线。

2.根据权利要求1所述的记忆体阵列的程序化方法，其特征在于其中所述的记忆体阵列还包括一第三晶体管，该第三晶体管的源极端电性连接至该位元线，且施加该第一电压与该第二电压至该切换记忆胞的该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区的步骤包括：

开启该些记忆胞中除该切换记忆胞以外的记忆胞；

导通该第一晶体管、该第二晶体管与该第三晶体管；

提供该第一电压至该第三晶体管的漏极端；以及

提供该第二电压至与该第二晶体管电性相连的一共源极线。

3.根据权利要求2所述的记忆体阵列的程序化方法，其特征在于还包括：

在该程序化阶段内，关闭该第三晶体管，以浮接与该记忆胞串相连的该位元线。

4.根据权利要求1所述的记忆体阵列的程序化方法，其特征在于其中提供该斜波信号至与该切换记忆胞电性相连的该字元线的步骤包括：

在该程序化阶段中的一第一子期间，提供电压准位逐渐上升的一第一子斜波信号至该字元线；以及

在该程序化阶段中的一第二子期间，提供电压准位逐渐下降的一第二子斜波信号至该字元线，其中该斜波信号是由该第一子斜波信号与该第二子斜波信号所构成。

5.根据权利要求1所述的记忆体阵列的程序化方法，其特征在于其中当该第一电压与该第二电压之间的电压差大于一预设电压时，在该程序化阶段内程序化该些记忆胞中与该切换记忆胞相邻的一选定记忆胞，当该第一电压与第二电压之间的电压差不大于该预设电压时，在该程序化阶段内禁止该选定记忆胞的程序化。

6.一种记忆体阵列的程序化方法，其特征在于其中该记忆体阵列包括由一第一晶体管、多个记忆胞与一第二晶体管串接而成的一记忆胞串，且该记忆体阵列的程序化方法包括以下步骤：

在一设定阶段内，关闭该些记忆胞中的一切换记忆胞，并施加一第一电压至该切换记忆胞的一第一源极/漏极区，且关闭该第二晶体管；以及

在一程序化阶段内，浮接与该记忆胞串相连的一位元线，并施加一第二电压至该切换记忆胞的一第二源极/漏极区，且提供一斜波信号至与该切换记忆胞电性相连的一字元线。

7.根据权利要求6所述的记忆体阵列的程序化方法，其特征在于其中所述的记忆体阵列还包括一第三晶体管，该第三晶体管的源极端电性连接至该位元线，且施加该第一电压至该切换记忆胞的该第一源极/漏极区的步骤包括：

开启该些记忆胞中除该切换记忆胞以外的记忆胞；

导通该第一晶体管与该第三晶体管；以及

提供该第一电压至该第三晶体管的漏极端。

8.根据权利要求7所述的记忆体阵列的程序化方法，其特征在于还包括：

在该程序化阶段内，关闭该第三晶体管，以浮接与该记忆胞串相连的该位元线。

9.根据权利要求6所述的记忆体阵列的程序化方法，其特征在于其中施加该第二电压至该切换记忆胞的该第二源极/漏极区的步骤包括：

导通该第二晶体管；以及

提供该第二电压至与该第二晶体管电性相连的一共源极线。

10.根据权利要求6所述的记忆体阵列的程序化方法，其特征在于其中提供该斜波信号至与该切换记忆胞电性相连的该字元线的步骤包括：

在该程序化阶段中的一第一子期间，提供电压准位逐渐上升的一第一子斜波信号至该字元线；以及

在该程序化阶段中的一第二子期间，提供电压准位逐渐下降的一第二子斜波信号至该字元线，其中该斜波信号是由该第一子斜波信号与该第二子斜波信号所构成。

11.根据权利要求6所述的记忆体阵列的程序化方法，其特征在于其中当该第一电压与该第二电压之间的电压差大于一预设电压时，该程序化阶段内程序化该些记忆胞中与该切换记忆胞相邻的一选定记忆胞，当该第一电压与第二电压之间的电压差不大于该预设电压时，在该程序化阶段内禁止该选定记忆胞的程序化。