[发明专利]一种用于原子层沉积设备的气体分配器有效
申请号: | 201210002317.X | 申请日: | 2012-01-05 |
公开(公告)号: | CN103194737A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 张艳清;夏洋;李超波;万军;吕树玲;陈波;石莎莉;李楠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及原子层沉积设备技术领域,具体涉及一种用于原子层沉积设备的气体分配器。所述用于原子层沉积设备的气体分配器,所述气体分配器设置在原子层沉积设备的反应腔室内,位于所述反应腔室内基片台的上方;所述气体分配器为环型或U型的气路管道,所述气路管道上设有一个进气口和若干个出气口;所述进气口与所述反应腔室的进气管道相连通,所述出气口均匀分布在所述气路管道的内外两侧,所述出气口的出气方向与垂直方向形成倾斜角度。本发明具备结构简单,易于加工,成本低廉的优点,在满足ALD沉积方式的同时,能够实现前躯体完整地覆盖样品表面,可以很好地提高薄膜均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 原子 沉积 设备 气体 分配器 | ||
【主权项】:
一种用于原子层沉积设备的气体分配器,其特征在于:所述气体分配器设置在原子层沉积设备的反应腔室内,位于所述反应腔室内基片台的上方;所述气体分配器为环型或U型的气路管道,所述气路管道上设有一个进气口和若干个出气口;所述进气口与所述反应腔室的进气管道相连通,所述出气口均匀分布在所述气路管道的内外两侧,所述出气口的出气方向与垂直方向形成倾斜角度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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