[发明专利]碳化硅单晶制造用碳化硅粉体及其制造方法有效
| 申请号： | 201180055027.5 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN103209923A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 加藤智久;武田雄介;村田弘 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人产业技术综合研究所;电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在利用升华再结晶法的单晶生长中，显示出高且稳定的升华速度的碳化硅粉体及其制造方法。是平均粒径在100℃以上700μｍ以下、且比表面积在0.05ｍ2/ｇ以上0.30ｍ2/ｇ以下的碳化硅单晶制造用碳化硅粉体。优选为粒子粒径在5μｍ以上200μｍ以下的一次粒子烧结而成的粒子形态。碳化硅单晶制造用碳化硅粉体的制造方法包含：以温度1900℃以上2400℃以下、压力70Mpa以下、非氧化性气氛下的条件，将平均粒径20μｍ以下的碳化硅粉体加压烧结来得到密度1.29g/cm3以上的烧结体的工序；通过粉碎对得到的烧结体进行粒度调整的工序；以及通过酸处理除去杂质的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶制造用碳化硅粉体，其特征在于，平均粒径在100μm以上700μm以下，并且比表面积在0.05m2/g以上0.30m2/g以下。
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