[发明专利]用于在大衬底上执行原子层沉积的具有多个分段的延伸反应器组件无效
申请号: | 201180053040.7 | 申请日: | 2011-11-11 |
公开(公告)号: | CN103189543A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 李相忍 | 申请(专利权)人: | 思诺斯技术公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种在用于在大衬底上执行原子层沉积(ALD)的沉积设备中的伸长反应器组件。伸长反应器组件包括一个或者多个注入器和/或游离基反应器。每个注入器或者游离基反应器在衬底穿过注入器或者游离基反应器时向衬底上注入气体或者游离基作为ALD工艺的部分。每个注入器或者游离基反应器包括多个分段,其中至少两个分段具有不同截面配置。通过在注入器或者游离基反应器中提供不同分段,注入器或者游离基反应器可以在衬底之上更均匀注入其它或者游离基。每个注入器或者游离基反应器可以包括用于在沉积设备以外排出过量气体或者游离基的多于一个出口。 | ||
搜索关键词: | 用于 衬底 执行 原子 沉积 具有 分段 延伸 反应器 组件 | ||
【主权项】:
一种在用于执行原子层沉积(ALD)的沉积设备中的反应器组件,包括:游离基反应器,包括:本体,与衬底被装配于其上的基座相邻放置,所述本体形成有在所述游离基反应器的纵向延伸第一距离的第一反应器分段中的第一等离子体室和在纵向延伸第二距离的第二反应器分段中的第二等离子体室;第一内电极,在所述第一等离子体室内延伸,所述第一内电极被配置用于通过跨所述第一内电极和第一外电极施加电压差在所述第一等离子体室内生成第一气体的游离基;以及第二内电极,在所述第二等离子体室内延伸,所述第二内电极被配置用于通过跨所述第二内电极和第二外电极施加电压差在所述第二等离子体室内生成所述第一气体的游离基。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的