[发明专利]用于在大衬底上执行原子层沉积的具有多个分段的延伸反应器组件无效

专利信息
申请号: 201180053040.7 申请日: 2011-11-11
公开(公告)号: CN103189543A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 李相忍 申请(专利权)人: 思诺斯技术公司
主分类号: C23C16/00 分类号: C23C16/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;张宁
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种在用于在大衬底上执行原子层沉积(ALD)的沉积设备中的伸长反应器组件。伸长反应器组件包括一个或者多个注入器和/或游离基反应器。每个注入器或者游离基反应器在衬底穿过注入器或者游离基反应器时向衬底上注入气体或者游离基作为ALD工艺的部分。每个注入器或者游离基反应器包括多个分段,其中至少两个分段具有不同截面配置。通过在注入器或者游离基反应器中提供不同分段,注入器或者游离基反应器可以在衬底之上更均匀注入其它或者游离基。每个注入器或者游离基反应器可以包括用于在沉积设备以外排出过量气体或者游离基的多于一个出口。
搜索关键词: 用于 衬底 执行 原子 沉积 具有 分段 延伸 反应器 组件
【主权项】:
一种在用于执行原子层沉积(ALD)的沉积设备中的反应器组件,包括:游离基反应器,包括:本体,与衬底被装配于其上的基座相邻放置,所述本体形成有在所述游离基反应器的纵向延伸第一距离的第一反应器分段中的第一等离子体室和在纵向延伸第二距离的第二反应器分段中的第二等离子体室;第一内电极,在所述第一等离子体室内延伸,所述第一内电极被配置用于通过跨所述第一内电极和第一外电极施加电压差在所述第一等离子体室内生成第一气体的游离基;以及第二内电极,在所述第二等离子体室内延伸,所述第二内电极被配置用于通过跨所述第二内电极和第二外电极施加电压差在所述第二等离子体室内生成所述第一气体的游离基。
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