[发明专利]用于改善晶圆单一化的方法及装置

摘要

出自包括晶圆180的半导体基板的电子器件12的镭射单一化是使用出自2个波长范围的多达3个镭射150、160、170所实行。使用出自2个波长范围的多达3个镭射150、160、170允许以晶粒附着膜184所固持的晶圆180的镭射单一化而避免由单波长切块所引起的问题。特别而言，使用出自2个波长范围的多达3个镭射150、160、170允许半导体晶圆180的有效率切块而避免关联于镭射处理晶粒附着带184的碎片与热问题。

主权项

一种用镭射处理系统改善基板单一化的方法，基板安装在晶粒附着膜上，该基板具有相对该晶粒附着膜且具有预定道的表面以及在该表面上的一层材料，该种方法包含：提供具有第一镭射参数的第一镭射的该镭射处理系统；提供具有第二镭射参数的第二镭射的该镭射处理系统；提供具有第三镭射参数的第三镭射的该镭射处理系统；决定该基板的最大表面纹理，其允许用具有该第二镭射参数的该第二镭射来进行晶粒附着膜的背面移除；决定该第一镭射参数，其允许该第一镭射在期望区域中从该基板移除部分的该层材料，使得该层材料的全部实质地从该期望区域所移除且在该期望区域内所造成表面的表面纹理小于该决定的最大表面纹理；导引该第一镭射，实质地在该等道内的期望区域内使用该第一镭射参数以从该基板移除该层材料；导引该第二镭射，在与该等道对准的区域中使用该等第二镭射参数以实行部分的该晶粒附着膜的背面移除；及导引该第三镭射，在该等道内用该第三镭射以实行在该基板中的贯穿切割，因此使该基板单一化。