[发明专利]用于改善晶圆单一化的方法及装置

权利要求书

1.一种用镭射处理系统改善基板单一化的方法，基板安装在晶粒附着膜上，该基板具有相对该晶粒附着膜且具有预定道的表面以及在该表面上的一层材料，该种方法包含：

提供具有第一镭射参数的第一镭射的该镭射处理系统；

提供具有第二镭射参数的第二镭射的该镭射处理系统；

提供具有第三镭射参数的第三镭射的该镭射处理系统；

决定该基板的最大表面纹理，其允许用具有该第二镭射参数的该第二镭射来进行晶粒附着膜的背面移除；

决定该第一镭射参数，其允许该第一镭射在期望区域中从该基板移除部分的该层材料，使得该层材料的全部实质地从该期望区域所移除且在该期望区域内所造成表面的表面纹理小于该决定的最大表面纹理；

导引该第一镭射，实质地在该等道内的期望区域内使用该第一镭射参数以从该基板移除该层材料；

导引该第二镭射，在与该等道对准的区域中使用该等第二镭射参数以实行部分的该晶粒附着膜的背面移除；及

导引该第三镭射，在该等道内用该第三镭射以实行在该基板中的贯穿切割，因此使该基板单一化。

2.如申请专利范围第1项所述的方法，其中该第一镭射参数包括在约255nm与约532nm之间的波长、小于约1000ps的脉冲宽度及大于约0.1μJ的脉冲能量。

3.如申请专利范围第1项所述的方法，其中该第二镭射参数包括大于约1000nm的波长、大于约100ns的脉冲宽度及大于约10μJ的脉冲能量。

4.如申请专利范围第1项所述的方法，其中该第三镭射参数包括在约255nm与约532nm之间的波长、小于约500ns的脉冲宽度及大于约0.1μJ的脉冲能量。

5.如申请专利范围第1项所述的方法，其中该第一与第三镭射是固态镭射且该第二镭射是气体镭射。

6.如申请专利范围第1项所述的方法，其中该第一、第二与第三镭射是固态镭射。

7.如申请专利范围第1项所述的方法，其中该第一与第三镭射是相同镭射。

8.如申请专利范围第1项所述的方法，其中该第一、第二与第三镭射是相同镭射。

9.一种用镭射处理系统改善基板单一化的系统，基板安装在晶粒附着带上，该基板具有相对该晶粒附着膜且具有预定道的表面以及在该表面上的一层材料，该种系统包含：

第一镭射，其运作在期望区域中从该基板的该层材料区域中从该基板移除部分的第一层材料，使得全部的该层材料是实质地从该期望区域所移除且在该期望区域内所造成表面的表面纹理是小于预定的最大表面纹理；

第二镭射，其运作在与该等道对准的区域中使用该等第二镭射参数以实行部分的该晶粒附着膜的背面移除；

第三镭射，其运作在该等道内用该第三镭射以实行在该基板中的贯穿切割，因此使该基板单一化。

10.如申请专利范围第7项所述的方法，其中该第一镭射参数包括在约255nm与约532nm之间的波长、小于约1000ps的脉冲宽度及大于约0.1μJ的脉冲能量。

11.如申请专利范围第7项所述的方法，其中该第二镭射参数包括大于约1000nm的波长、大于约100ns的脉冲宽度及大于约10μJ的脉冲能量。

12.如申请专利范围第7项所述的方法，其中该第三镭射参数包括在约255nm与约532nm之间的波长、小于约500ns的脉冲宽度及大于约0.1μJ的脉冲能量。

13.如申请专利范围第7项所述的方法，其中该第一与第三镭射是固态镭射且该第二镭射是气体镭射。

14.如申请专利范围第7项所述的方法，其中该第一、第二与第三镭射是固态镭射。

15.如申请专利范围第7项所述的方法，其中该第一与第三镭射是相同镭射。

16.如申请专利范围第7项所述的方法，其中该第一、第二与第三镭射是相同镭射。