[实用新型]N型衬底硅太阳能电池有效
申请号: | 201120425150.9 | 申请日: | 2011-11-01 |
公开(公告)号: | CN202307917U | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 张云国;俞英芸;庞井明;张立波;石义洋 | 申请(专利权)人: | 宁波市鑫友光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/068 |
代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
地址: | 315145 浙江省宁波市鄞州区滨海投*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种N型衬底硅太阳能电池,包括N型硅衬底,其特征是在N型硅衬底的一侧设有N+区层,在N+区层上设有减反膜层,在减反膜层上设有正银层,在N型硅衬底的另一侧设有P区层,在P区层上设有背电极层,所述背电极层为金属铝层。本实用新型得到的N型衬底硅太阳能电池,比P型衬底硅太阳能电池有更高的载流子寿命、复合缺陷少、温度系数误差小、厚度薄,在供给料上也有着不可估计的优势。 | ||
搜索关键词: | 衬底 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种N型衬底硅太阳能电池,包括N型硅衬底(1),其特征是在N型硅衬底(1)的一侧设有N+区层(2),在N+区层(2)上设有减反膜层(3),在减反膜层(3)上设有正银层(4),在N型硅衬底(1)的另一侧设有P区层(5),在P区层(5)上设有背电极层(6),所述背电极层(6)为金属铝层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的