[实用新型]硒蒸气快速结晶退火炉结构有效
申请号: | 201120158555.0 | 申请日: | 2011-05-18 |
公开(公告)号: | CN202178238U | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 钟承兆 | 申请(专利权)人: | 正峰新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L31/18 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人: | 刘俊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硒蒸气快速结晶退火炉结构,包括硒蒸气输送管路单元、硒蒸气喷洒头单元以及真空腔体,其中具有铜铟镓硒层的基板安置于真空腔体中,且真空腔体具有由透明材料所构成的透明窗口,而硒蒸气输送管路单元将外部输入的硒蒸气输送到硒蒸气喷洒头单元,让硒蒸气均匀喷洒至基板上以添加硒源,同时真空腔体的透明窗口让外部快速加热单元所产生的热辐射穿透并对基板进行加热,增加基板的温度,减少机板及高温硒蒸气之间的温差,藉以实现快速结晶退火处理,并改善基板上铜铟镓硒层的结晶性。 | ||
搜索关键词: | 蒸气 快速 结晶 退火炉 结构 | ||
【主权项】:
一种硒蒸气快速结晶退火炉结构,用以提供对具有铜铟镓硒层的一基板进行快速结晶退火处理,其特征在于,所述硒蒸气快速结晶退火炉结构包括:一硒蒸气输送管路单元,用以将外部输入的高温硒蒸气输送出去;一硒蒸气喷洒头单元,连结至该硒蒸气输送管路单元,用以接收该硒蒸气输送管路单元所输送的硒蒸气,并将该硒蒸气喷洒至该基板上的铜铟镓硒层;以及一真空腔体,具有一真空度,用以容置该硒蒸气喷洒头单元以及该基板,且该真空腔体具有由透明材料所构成的一透明窗口,用以让外部的热辐射经该透明窗口而对该基板进行加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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