[发明专利]具有低沾粘镀膜的封装模具无效
| 申请号： | 201110456179.8 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103187321A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 朱继文;邱松茂;杨国源;黄家宏 | 申请（专利权）人： | 财团法人金属工业研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;B29C45/14 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 任永武;须一平 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有低沾粘镀膜的封装模具，包含一个模具本体及一层形成于该模具本体表面的低沾粘镀膜，该低沾粘镀膜的组成呈现氮与一种第一元素所成的氮化物、碳与一种第二元素所成的碳化物，及氟元素所成的化合物相态和元素相态构成的混合物相态，该第一元素是选自下列所构成的群组为材料：钛、铬或其中一种组合，该第二元素则是选自下列所构成的群组为材料：钨、硅、铝、铪或其中一种组合，通过该低沾粘镀膜的保护使得封装模具的模具本体表面避免生产时的封装胶材等粘性物质的沾粘、残留，而减少模具清洗、损害的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低沾粘 镀膜 封装 模具 | ||
【主权项】：
一种具有低沾粘镀膜的封装模具，其特征在于：包含：一个模具本体；及一层低沾粘镀膜，形成于该模具本体表面，呈现氮与一种第一元素所成的氮化物、碳与一种第二元素所成的碳化物，及氟元素所成的化合物相态和元素相态构成的混合物相态，该第一元素是选自下列所构成的群组为材料：钛、铬或其中一种组合，该第二元素是选自下列所构成的群组为材料：钨、硅、铝、铪或其中一种组合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
