[发明专利]一种液晶显示面板阵列基板的制作方法有效
| 申请号： | 201110453765.7 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102593050A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 许民庆;杨妮;庄塗城;余鸿志 | 申请（专利权）人： | 深超光电(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提升液晶显示面板阵列基板穿透率的制作方法，包括如下步骤，首先提供一基板，依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、第一透明电极、源极和漏极于该基板上，再形成第一钝化层覆盖该源极、漏极、半导体层和该栅极绝缘层，接着再形成第二钝化层覆盖第一钝化层，最后再形成第二透明电极于该第二钝化层上，其中第一钝化层的沉积功率小于5500瓦，第二钝化层的沉积功率大于5000瓦。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 液晶显示 面板 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种液晶显示面板阵列基板的制作方法，包括如下步骤：提供一基板；依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、第一透明电极、源极和漏极于该基板上；再形成第一钝化层覆盖该源极、漏极、半导体层和该栅极绝缘层，其中该第一钝化层的沉积功率小于5500瓦；接着再形成一第二钝化层覆盖该第一钝化层，其中该第二钝化层的沉积功率大于5000瓦；然后再形成第二透明电极于该钝化层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深超光电(深圳)有限公司，未经深超光电(深圳)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110453765.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
