[发明专利]轴向温度梯度可调控的碳化硅单晶生长装置有效
| 申请号： | 201110447811.2 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103184512A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 刘熙;严成峰;忻隽;孔海宽;肖兵;杨建华;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体是一种适用物理气相输运法生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明将坩埚盖加工成双层壁结构，中间为夹心空层。然后将特制外形的保温材料(完全贴合整个夹心层)放进坩埚盖的空心层。本发明可以根据轴向温度梯度的大小确定合适保温层的厚度分布，从而实现晶体生长速率可控。 | ||
| 搜索关键词： | 轴向 温度梯度 调控 碳化硅 生长 装置 | ||
【主权项】：
一种用于物理气相输运技术生长碳化硅单晶的坩埚，所述坩埚是包括生长腔室和坩埚盖的分体式结构，其中，坩埚盖为双层壁结构，中间为空心层。
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