[发明专利]基于SOI材料的悬空谐振光子器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110441604.6 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102570312A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王永进;朱洪波 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01S5/50 | 分类号： | H01S5/50 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SOI材料的悬空谐振光子器件及其制备方法，实现载体为SOI晶片，从上到下依次包括顶层硅器件层、氧化埋层和硅衬底层，所述硅衬底层具有一个贯穿至所述氧化埋层下表面的长方体空腔；所述顶层硅器件层位于空腔上方的部分具有纳米光子器件结构。本发明还公开了一种基于SOI材料的悬空谐振光子器件的制备方法。本发明所设计的基于SOI材料的悬空谐振光子器件及其制作方法能够实现光波与悬空光子器件的交互作用，便于与硅微电子技术集成，实现集成硅基光电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 材料 悬空 谐振 光子 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于SOI材料的悬空谐振光子器件，实现载体为SOI晶片，从上到下依次包括顶层硅器件层、氧化埋层和硅衬底层，其特征在于：所述硅衬底层具有一个贯穿至所述氧化埋层下表面的长方体空腔；所述顶层硅器件层位于空腔上方的部分具有纳米光子器件结构。
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