[发明专利]一种存储单元门极控制电路有效
| 申请号： | 201110441106.1 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103177759A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 冯国友 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储单元门极控制电路，包括：一共用高压隔离电路和至少一个控制电路；共用高压隔离电路包括一PMOS管M11和一NMOS管M21，M11漏极和M21源极接门极控制电路输入端，M11栅极接零电位，M11源极是输出端一，M21栅极接电路电源电压，M21漏极是输出端二；控制电路包括一PMOS管M1和三个NMOS管M2、M3和M31；M1漏极接所述输出端一，M1栅极接门极控制信号一，M1源极接M2漏极作为门极控制电路输出端；M2源极接所述输出端二，M2漏极接M31源极，M31漏极接M3源极，M3漏极接零电位，M2栅极接门极控制信号二，M31栅极接电源电压，M3栅极接门极控制信号三，M2、M3和M31衬底连接。本发明的存储单元门极控制电路，在功能、耐压条件不变情况下能减小存储单元门极控制电路面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 单元门 控制电路 | ||
【主权项】：
一种存储单元门极控制电路，其特征是，包括：一个共用高压隔离电路和至少一个控制电路；所述共用高压隔离电路包括一个PMOS管M11和一个NMOS管M21，M11漏极和M21源极接门极控制电路输入端，M11栅极接零电位，M11源极是共用高压隔离电路输出端一，M21栅极接电路电源电压，M21漏极是共用高压隔离电路输出端二；所述控制电路包括一个PMOS管M1和三个NMOS管M2、M3和M31；M1漏极接所述共用高压隔离电路输出端一，M1栅极接门极控制信号一，M1源极接M2漏极作为门极控制电路输出端；M2源极接所述共用高压隔离电路输出端二，M2漏极接M31源极，M31漏极接M3源极，M3漏极接零电位，M2栅极接门极控制信号二，M31栅极接电路电源电压，M3栅极接门极控制信号三，M2、M3和M31的衬底相互连接。
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