[发明专利]外延型快速恢复二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201110440632.6 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103178120A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 贺东晓;吴迪;王晓宝;周锦源 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延型快速恢复二极管（FRED）及其制备方法，属于功率器件技术领域。该FRED的用于形成PN结的阳极区的P型半导体掺杂层包括第一P型半导体区域、第二P型半导体区域以及第三P型半导体区域，所述第一P型半导体区域、第二P型半导体区域和第三P型半导体区域的掺杂浓度依次递增。在其制备方法过程中，通过三次掺杂步骤分别形成第一P型半导体区域、第二P型半导体区域以及第三P型半导体区域，从而实现P型半导体掺杂层的掺杂浓度的重新分布。该FRED的抗雪崩能力强，反向击穿特性相对较“软”，尤其适合于串联地应用或者用作IGBT的续流二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 快速 恢复 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种外延型快速恢复二极管，包括分别用于形成PN结的阴极区和阳极区的N型半导体掺杂层和P型半导体掺杂层，其特征在于，所述P型半导体掺杂层中从PN结的界面处向所述阳极区表面依次邻接地设置第一P型半导体区域、第二P型半导体区域以及第三P型半导体区域；其中，所述第一P型半导体区域的掺杂浓度低于所述第二P型半导体区域的掺杂浓度，所述第二P型半导体区域的掺杂浓度低于所述第三P型半导体区域的掺杂浓度。
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