[发明专利]晶圆级测试结构和测试方法

摘要

本发明公开了一种晶圆级测试结构，测试结构单元分别由测试结构一、辅助测试结构一和辅助测试结构二组成。各测试结构单元的各组成结构都由多个平行排列的MOS管组成，各MOS管的栅极都浮置、源漏区都并联在一起并连接到一焊盘，衬底上也接一焊盘引出。本发明还公开了一种晶圆级测试方法，在高温高压条件恶化前后各测试一次各测试结构单元的各组成结构的漏电流，对漏电流变化量进行统计并将具有较大漏电流变化量的外围分布进行剔除。本发明能实现在晶圆级测试中就将类似由晕环离子注入区引入的结深较浅的位错缺陷筛选出来，能降低后期封装和测试成本，缩短测试周期。

主权项

一种晶圆级测试结构，形成于衬底上的产品的MOS管的沟道下方形成有晕环离子注入区；其特征在于：测试结构由多个测试结构单元组成，各所述测试结构单元分别形成于所述衬底的不同位置、并分别用于对不同位置处的所述产品的由所述晕环离子注入区产生的位错缺陷进行监控，各所述测试结构单元都分别由测试结构一、辅助测试结构一和辅助测试结构二组成；所述测试结构一包括多个平行排列、且结构相同的第一MOS管，各所述第一MOS管的栅极的组分为多晶硅，各所述第一MOS管的线宽和所述产品的MOS管的线宽相同；各所述第一MOS管的源漏区和所述产品的MOS管的源漏区相同；各所述第一MOS管的沟道下方形成有晕环离子注入区、且各所述第一MOS管的晕环离子注入区和所述产品的MOS管的晕环离子注入区相同；各所述第一MOS管的栅极都浮空，各所述第一MOS管的源漏区都并联在一起并连接至第一焊盘；在所述测试结构一外周的衬底上形成一和所述衬底连接的导线并连接至第二焊盘；所述第一焊盘和所述第二焊盘组成所述测试结构一的测试电极，所述测试结构一中的平行排列的所述第一MOS管的数量越多，所述第一焊盘和所述第二焊盘间的输出电流会越大；所述辅助测试结构一包括多个平行排列、且结构相同的第二MOS管；各所述第二MOS管和各所述第一MOS管的区别是，各所述第二MOS管的线宽大于各所述第一MOS管的线宽、且各所述第二MOS管的线宽的具体值在所述产品的器件设计窗口所设定的范围内；各所述第二MOS管的源漏区都 并联在一起并连接至第三焊盘；在所述辅助测试结构一外周的衬底上形成一和所述衬底连接的导线并连接至第四焊盘；所述第三焊盘和所述第四焊盘组成所述辅助测试结构一的测试电极；所述辅助测试结构二包括多个平行排列、且结构相同的第三MOS管；各所述第三MOS管和各所述第一MOS管的区别是，各所述第三MOS管的线宽小于各所述第一MOS管的线宽、且各所述第三MOS管的线宽的具体值在所述产品的器件设计窗口所设定的范围内；各所述第三MOS管的源漏区都并联在一起并连接至第五焊盘；在所述辅助测试结构二外周的衬底上形成一和所述衬底连接的导线并连接至第六焊盘；所述第五焊盘和所述第六焊盘组成所述辅助测试结构二的测试电极。