[发明专利]一种半导体薄膜材料电容特性的测量方法及装置

摘要

一种特定电容器容量和品质的测量方法，把半导体薄膜材料做成一个特定电容器，并设定一个可测量参数η为电容差值率，所述电容差值率定义为电容真实值Cs和电容测试值Cp的差值与其平均值之比，通过测量特定电容器的电容测试值Cp、电导值Gp和测试频率ω，计算电容差值率η、电容真实值Cs、串联电阻Rs、高频损耗tgδ或对应损耗角δ；同时提供了实施该测量方法的装置。本发明的优点是：只需要一个金属平台和一只悬挂式水银探针，装置简单；制备和测量特定电容器的全部操作过程，不损伤样品；对被测半导体样品的衬底和界面结构没有特别要求，适用范围更广；采用电容差值率测量特定电容器的电容真实值和监控其品质，方便快捷，数据可靠。

主权项

一种特定电容器容量和品质的测量方法，其特征在于：把半导体薄膜材料做成一个特定电容器，并设定一个可测量参数η为电容差值率，所述电容差值率定义为电容真实值Cs和电容测试值Cp的差值与其平均值之比，通过测量特定电容器的电容测试值Cp、电导值Gp和测试频率ω，计算电容差值率η、电容真实值Cs、串联电阻Rs、高频损耗tgδ或对应损耗角δ，计算公式为： η = 2 G P 2 G P 2 + 2 ω 2 C P 2 , C S = 2 + η 2 - η · C P , R S = 2 η 2 + η · 1 G P , tgδ = ω R S C S = 2 η 2 - η , δ = arctg 2 η 2 - η .