[发明专利]鳍式场效应管的形成方法有效
| 申请号： | 201110436138.2 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN103177965A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 孟晓莹;何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括氧化层，在所述氧化层表面形成有鳍部和栅极结构；在所述栅极结构两侧形成栅极侧墙，所述鳍部两侧形成有鳍部侧墙；形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖所述栅极结构，鳍部以及氧化层表面；去除部分所述第一牺牲层，形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的高度不小于所述鳍部的高度且小于栅极结构的高度；形成位于所述栅极结构两侧的保护侧墙；以所述保护侧墙为掩膜，去除所述第二牺牲层和鳍部侧墙。本发明实施例中保护侧墙的特征尺寸大于栅极侧墙的特征尺寸，在以保护侧墙为掩膜去除鳍部侧墙的时候，可以充分保护栅极侧墙。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括氧化层，在所述氧化层表面形成有凸出的鳍部和横跨在所述鳍部上的栅极结构；在所述栅极结构两侧形成栅极侧墙，所述鳍部两侧形成有鳍部侧墙；形成保护侧墙，所述保护侧墙的底部表面距离基底表面的距离大于所述鳍部顶部表面距离基底表面的距离；以所述保护侧墙为掩膜，去除所述鳍部侧墙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110436138.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：空气过滤网
- 下一篇：一种具有手动排气功能的双桶并联全透明油净化装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
