[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法、显示器有效
申请号: | 201110434574.6 | 申请日: | 2011-12-22 |
公开(公告)号: | CN103178004A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 李冠锋 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/027;H01L27/12;G02F1/136 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制作方法、显示器,该方法包括:于基板上依序形成一栅极、一覆盖栅极的栅绝缘层、一主动材料层、与一感光材料层;利用一半调式掩膜进行一微影工艺,以形成一感光保护层,感光保护层位于栅极上方且具有一第一凹槽与一第二凹槽;以感光保护层为掩膜刻蚀主动材料层,以形成一主动层;移除第一凹槽与第二凹槽底部的感光保护层,以分别暴露出主动层的一第一部分与一第二部分;形成一连接第一部分的第一电极;以及形成一连接第二部分的第二电极。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示器 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管基板的制作方法,其特征在于,所述薄膜晶体管基板的制作方法包括:提供一基板;于所述基板上形成一栅极;于所述基板上形成一覆盖所述栅极的栅绝缘层;于所述栅绝缘层上形成一主动材料层;于所述主动材料层上形成一感光材料层;利用一半调式掩膜对所述感光材料层进行一微影工艺,以图案化所述感光材料层而形成一感光保护层,所述感光保护层位于所述栅极上方且具有未贯穿所述感光保护层的一第一凹槽与一第二凹槽;以所述感光保护层为掩膜刻蚀所述主动材料层,以形成一主动层;移除所述第一凹槽与所述第二凹槽底部的所述感光保护层,以分别暴露出所述主动层的一第一部分与一第二部分;形成一连接所述第一部分的第一电极;以及形成一连接所述第二部分的第二电极,其中所述第一电极为一源极与一源极其中之一,所述第二电极为所述源极与所述源极其中之另一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司,未经群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110434574.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造