[发明专利]有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法

摘要

本发明公开了一种有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，包括如下步骤：提供一衬底；在衬底上形成TFT；接着在上述衬底上方继续沉积钝化层覆盖源极电极及漏极电极；在钝化层上形成光刻胶层进行蚀刻，形成暴露源极电极或漏极电极的第一接触孔并去除剩余光刻胶层；接下来继续在第一接触孔上形成光敏性或者蚀刻型有机平坦化层，对有机平坦化层进行曝光，曝光掩膜为区域透光式掩膜，第一接触孔的位置为全曝光，像素电极区域A为半曝光，其余区域为不曝光；最后，在衬底的整个表面形成像素电极。本发明提供的有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，将现有的两次平坦化工艺减少为一次平坦化层工艺，减少了一次掩膜工艺，可有效降低成本。

主权项

一种有源矩阵有机发光显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底（30）；在衬底（30）上形成缓冲层、半导体（31）、源极区域（34‑1）、漏极区域（34‑2）和栅极绝缘层(32)；在上述衬底（30）上继续形成栅极电极(33)、层间绝缘层(35)、源极电极（37‑1) 及漏极电极（37‑2），所述源极电极（37‑1)通过通孔(36‑1)和源极区域（34‑1）相连，所述漏极电极（37‑2）通过通孔(36‑2)和漏极区域（34‑2）相连；接着在上述衬底（30）上方继续沉积钝化层（38）覆盖源极电极（37‑1) 及漏极电极（37‑2）；在钝化层（38）上形成光刻胶层进行蚀刻，形成暴露漏极电极的第一接触孔（39）并去除剩余光刻胶层；接下来继续在第一接触孔（39）上形成光敏性或者蚀刻型有机平坦化层（40），对有机平坦化层（40）进行曝光，曝光掩膜为区域透光式掩膜，第一接触孔（39）的位置为全曝光，形成第二接触孔（41），所述第二接触孔（41）和第一接触孔（39）相贯通，像素电极区域A为半曝光，其余区域为不曝光；最后，在衬底（30）的整个表面形成透明导电层，利用曝光、显影和蚀刻方式形成和像素电极（42），所述像素电极（42）通过第一接触孔（39）、第二接触孔（41）连接到漏极电极上。