[发明专利]检测图形片硅研磨速率的方法有效
| 申请号： | 201110412661.1 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165487A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 程晓华;陈豪 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测图形片硅研磨速率的方法，包括以下步骤：步骤一、测量并记录图形结构片特定量测图形不同位置的初始断差；步骤二、选择几枚硅生长厚度相当的图形片，用化学机械抛光设备对每一枚外延片以不同时间进行研磨；步骤三、对每一枚用不同时间研磨的硅图形结构片在特定量测图形位置的断差后值进行测量并记录后值；步骤四、对每一枚硅图形结构片的断差后值和不同的研磨时间作图得出直线。此直线的斜率K即为在硅片任意位置处的研磨速率。本发明可以获得可以准确测定任何不同图形片的硅研磨速率，快速有效。不同于切片对硅片的破坏性检测，对硅片的再利用率高。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 图形 研磨 速率 方法 | ||
【主权项】：
一种检测图形片硅研磨速率的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、测量并记录图形结构片特定量测图形不同位置的的初始断差；步骤二、选择几枚硅生长厚度相当的图形片，用化学机械抛光设备对每一枚外延片以不同时间进行研磨；步骤三、对每一枚用不同时间研磨的硅图形结构片在特定量测图形位置的断差后值进行测量并记录后值；步骤四、对每一枚硅图形结构片的断差后值和不同的研磨时间得出直线，此直线的斜率K即为在硅片任意位置处的研磨速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
