[发明专利]互连结构的制造方法有效
| 申请号： | 201110406853.1 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN103165516A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种互连结构的制造方法，包括：提供衬底，在衬底上形成第一介质层；在第一介质层中形成多个沿水平方向间隔排列的金属层；在金属层上覆盖一遮挡层，遮挡层沿水平方向间隔排列，遮挡层的水平宽度大于金属层的水平宽度；去除第一介质层，去除第一介质层的工艺对第一介质层的去除速率大于对遮挡层的去除速率，形成由金属层以及遮挡层围成的开口；向开口中填充介质材料，形成由介质材料围成的空气隙。遮挡层的水平宽度大于金属层地水平宽度，因此开口顶部的水平尺寸较小，在向开口中填充介质材料时，介质材料较难进入开口内部，同时比较容易在开口顶部沉积而对开口进行封口，从而可以形成较大尺寸的空气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成多个沿水平方向间隔排列的金属层；在所述金属层上覆盖一遮挡层，所述遮挡层的水平宽度大于所述金属层的水平宽度；去除所述第一介质层，所述去除所述第一介质层的工艺对第一介质层的去除速率大于对遮挡层的去除速率，形成由金属层以及遮挡层围成的开口；向所述开口中填充介质材料，形成由所述介质材料围成的空气隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110406853.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超高压开关设备的焊装工装夹具
- 下一篇：空间焊接夹具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
