[发明专利]具有半导体薄膜的组合半导体装置有效

专利信息
申请号: 201110405285.3 申请日: 2003-11-13
公开(公告)号: CN102529420A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 荻原光彦;藤原博之;安孙子一松;佐久田昌明 申请(专利权)人: 日本冲信息株式会社
主分类号: B41J2/45 分类号: B41J2/45;H01L27/15
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 臧霁晨;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体装置,包括接合到衬底的两个半导体薄膜,和将第一半导体薄膜中例如发光器件的半导体器件与第二半导体薄膜中的集成电路电连接的薄膜互连线。通常,该集成电路驱动该半导体器件。两个半导体薄膜与衬底分开形成。第一半导体薄膜可以包括半导体器件阵列。第一和第二半导体薄膜可以作为阵列被复制而接合到相同的衬底。与包含有阵列芯片和分离的驱动器芯片的常规半导体装置相比,本发明装置更小并且降低了材料成本。
搜索关键词: 具有 半导体 薄膜 组合 装置
【主权项】:
一种组合半导体装置,包括:衬底;多个第一半导体薄膜;以及第二半导体薄膜;多个第一单独互连线,所述衬底具有实质上是平的表面,所述多个第一半导体薄膜布置并接合在所述衬底的表面,所述多个第一半导体薄膜分别仅具有一个发光元件并且为仅包含一个该发光元件所必须程度的尺寸,所述第二半导体薄膜接合在所述衬底的相同的表面,从该衬底突出地布置,所述第二半导体薄膜形成为比所述第一半导体薄宽度更宽,包含含有驱动所述发光元件的多个驱动元件群的集成电路和多个第一端子,所述第一以及所述第二半导体薄膜分别为10μm以下的厚度,在与所述衬底之间形成该厚度的台阶,所述多个第一单独互连线从所述第一半导体薄膜的上表面经由该第一半导体薄膜的台阶、所述衬底的表面上以及第二半导体薄膜的台阶在第二半导体薄膜的上表面延伸,形成薄膜,所述多个第一单独互连线将所述第一半导体薄膜的光半导体器件与第二半导体薄膜的第一端子电连接,其结果是,多个驱动所述第二半导体薄膜。
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