[发明专利]氧化物半导体电极的评价方法、评价装置和制造装置无效
| 申请号： | 201110402745.7 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102539407A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 宫地沙绘;平野豪 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;H01L51/44;H01G13/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及氧化物半导体电极的评价方法、评价装置和制造装置。本发明公开了氧化物半导体电极的评价方法，该方法包括：对具有吸收到其中的染料的多孔氧化物半导体层执行拉曼光谱法，从而获得拉曼光谱，该拉曼光谱具有归因于所述染料的峰值和归因于氧化物半导体的峰值；从拉曼光谱获得染料吸收量的参数，该染料吸收量的参数由下列公式定义：染料吸收量的参数＝(归因于染料的峰值强度)/(归因于氧化物半导体的峰值强度)；以及根据所获得的染料吸收量的参数，评价吸收到多孔氧化物半导体层中的染料的量。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 电极 评价 方法 装置 制造 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体电极的评价方法，所述方法包括如下步骤：对具有吸收到其中的染料的多孔氧化物半导体层执行拉曼光谱法，从而获得拉曼光谱，所述拉曼光谱具有归因于所述染料的峰值和归因于氧化物半导体的峰值；从所述拉曼光谱获得染料吸收量的参数，所述染料吸收量的参数由下列公式定义：染料吸收量的参数＝(归因于染料的峰值强度)/(归因于氧化物半导体的峰值强度)；以及根据所获得的所述染料吸收量的参数，评价吸收到所述多孔氧化物半导体层中的所述染料的量。
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