[发明专利]一种具电流扩散结构的发光二极管与其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110398891.7 申请日: 2011-12-05
公开(公告)号: CN103137809A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 陈复邦;颜伟昱;张智松 申请(专利权)人: 联胜光电股份有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥
地址: 中国台湾台中*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种具电流扩散结构的发光二极管与其制造方法,其包含一N型电极、一N型半导体层、一电流阻挡层、一发光层、一P型半导体层与一P型电极,其中该N型半导体层、该发光层与该P型半导体层形成三明治结构,该N型电极与该P型电极分别设置在该N型半导体层与该P型半导体层上,且本发明为让该电流阻挡层对应该N型电极的图案分布埋设在该N型半导体层内,据此本发明通过让该电流阻挡层埋设在该N型半导体层内,除了可让该N型电极所产生的电流绕过该电流阻挡层而均匀地通过该发光层之外,更可避免接口效应造成阻抗增加,因而可以提升发光效率,且本发明可让该发光层的主要发光区远离该N型电极,可减少该N型电极的光遮蔽量而提升发光亮度。
搜索关键词: 一种 电流 扩散 结构 发光二极管 与其 制造 方法
【主权项】:
一种具电流扩散结构的发光二极管,其特征在于,包含:一N型半导体层;一发光层,该发光层设置在该N型半导体层的一侧;一P型半导体层,该P型半导体层设置在该发光层远离该N型半导体层的一侧;一N型电极,该N型电极具有一图案分布,且设置在该N型半导体层远离该发光层的一侧;一P型电极,该P型电极设置在该P型半导体层远离该发光层的一侧;一电流阻挡层,该电流阻挡层具有该图案分布且对应该N型电极埋设在该N型半导体层内。
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