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[发明专利]一种垂直式发光二极管结构-CN202110359542.8在审
发明人：陈復邦;颜伟昱;蔡增光;张智松;黄国欣 -专利权人：联嘉光电股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明为一种垂直式发光二极管结构，其包含一发光二极管元件、一侧壁绝缘层、一焊接电极与一金属保护层，其主要是让该金属保护层电性连接该焊接电极，且该金属保护层隔着该侧壁绝缘层披覆保护该发光二极管元件的一晶粒侧边缘与一载板侧边缘；据此，透过该金属保护层的披覆保护，可以解决该发光二极管元件在电镀或化镀制程与其他环境严苛制程中，潜在侧壁绝缘层(Passivation)的失效问题，且该金属保护层可以提供测试接点，利用检测该发光二极管元件的顺向偏压(Vf)、逆向漏电流(Ir)而评估该侧壁绝缘层的品质。
一种垂直发光二极管结构

[发明专利]半导体发光元件-CN201310005652.X无效
发明人： 颜伟昱;周理评;陈复邦;张智松 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，其包括：缓冲层、第一光反射层、第一电性半导体层、发光层、保护结构与黏着层。其中第一电性半导体层位于缓冲层与发光层之间。第一光反射层位于第一电性半导体层与缓冲层之间。保护结构位于第一光反射层与缓冲层之间。此外黏着层位于第一电性半导体层与保护结构之间，以提升元件可靠度。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201210409068.6无效
发明人： 颜伟昱;周理评;陈复邦;张智松 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种半导体发光元件及其制造方法，半导体发光元件包括发光的磊晶结构、第一电极结构、光反射层及电阻增加结构。其中，磊晶结构具有相对的第一面及第二面；第一电极结构与第一面电性相接；光反射层与第二面相邻；电阻增加结构与光反射层相邻，并远离第二面，且与第一电极结构之位置相对应。另提供半导体发光元件之制造方法。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]发光二极管与成长基板分离的方法-CN201210301116.X无效
发明人： 颜伟昱;陈复邦;张智松 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：种发光二极管与成长基板分离的方法，首先提供一成长基板，该成长基板具有一连接面及一远离该连接面的底面；接着于该连接面上形成多个孔洞；再于该连接面上成长一发光二极管结构，并于该发光二极管结构形成一与该连接面连接的连接部；而后研磨该底面，使该底面内缩与该孔洞连通；最后将一蚀刻液由该孔洞导入该连接部以进行蚀刻，分离该发光二极管结构及该成长基板。据此，本发明利用该孔洞的形成，以研磨及蚀刻的方式分离该发光二极管结构及该成长基板，而具有高工艺良率及降低制造成本的优点。
发光二极管成长分离方法

[发明专利]发光二极管的热应力释放结构-CN201210225745.9有效
发明人： 颜伟昱;陈復邦;张智松 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明为一种发光二极管的热应力释放结构，应用于一发光二极管结构，该发光二极管结构包含依序堆栈的一P型电极、一永久基板、一结合层、一缓冲层、一反射层、一P型半导体层、一发光层、一N型半导体层与一N型电极，且本发明的该缓冲层堆栈有多个第一材料层与多个第二材料层，且该多个第一材料层与该多个第二材料层为交错相迭且于堆栈的方向形成凹凸结构，据此通过该凹凸结构而形成弹性波浪结构，可做为热应力释放结构，其用于吸收发光二极管结构所产生的热应力，可避免该缓冲层会有因热胀冷缩所产生的应力而破坏金属层或磊晶层。
发光二极管应力释放结构

[发明专利]具反射镜保护层的发光二极管-CN201210194916.6无效
发明人： 颜伟昱;周理评;陈復邦;张智松 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具反射镜保护层的发光二极管，其包含依序堆叠的一N型电极、一N型半导体层、一发光层与一P型半导体层、一金属反射层、一保护层、一缓冲层、一结合层、一永久基板与一P型电极，其中该保护层为金属氧化物，且形成为一裸空的框架图案，并该框架图案覆盖或支持该金属反射层的边缘，据此通过该保护层的环绕遮蔽可以保护该金属反射层，避免该金属反射层于后续制程中氧化，可让该金属反射层维持应有的反射率，而增加发光二极管的出光效率及电性稳定性。
反射保护层发光二极管

[发明专利]发光二极管电性接触结构-CN201210109485.9无效
发明人：曾炜竣;颜伟昱;陈复邦;张智松 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明为一种发光二极管电性接触结构，应用于一发光二极管结构，其包含一N型金属电极层与一氮化物中间层，该发光二极管结构包含堆迭形成三明治结构的一N型半导体层、一发光层与一P型半导体层，其中该氮化物中间层图案化的形成于该N型半导体层上，该N型金属电极层形成于该氮化物中间层上，以藉由该氮化物中间层形成阻绝介面，可避免该N型半导体层受到金属离子扩散的破坏而保持电性稳定，且该氮化物中间层不会因长时间高温而软化凝结，可增加附着力，进而避免N型金属电极层有剥离现象，据而可增加发光二极管的使用寿命。
发光二极管接触结构

[发明专利]发光二极管的缓冲层结构-CN201210115001.1无效
发明人：周理评;颜伟昱;陈复邦;张智松 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明为一种发光二极管的缓冲层结构，应用于一发光二极管结构，该发光二极管结构包含依序堆迭的一P型电极、一永久基板、一结合层、一缓冲层、一反射层、一P型半导体层、一发光层、一N型半导体层与一N型电极，且本发明的该缓冲层为复合材料，且该缓冲层的复合材料为至少二种材料元素构成，且于材料边界处彼此交融，据此由于该缓冲层中的复合材料没有明显的介面分隔，因而可以消除介面效应与材料间的应力，而提升发光二极管的发光效率与制造良率。
发光二极管缓冲结构

[发明专利]一种具电流扩散结构的发光二极管与其制造方法-CN201110398891.7无效
发明人：陈复邦;颜伟昱;张智松 -专利权人：联胜光电股份有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种具电流扩散结构的发光二极管与其制造方法，其包含一N型电极、一N型半导体层、一电流阻挡层、一发光层、一P型半导体层与一P型电极，其中该N型半导体层、该发光层与该P型半导体层形成三明治结构，该N型电极与该P型电极分别设置在该N型半导体层与该P型半导体层上，且本发明为让该电流阻挡层对应该N型电极的图案分布埋设在该N型半导体层内，据此本发明通过让该电流阻挡层埋设在该N型半导体层内，除了可让该N型电极所产生的电流绕过该电流阻挡层而均匀地通过该发光层之外，更可避免接口效应造成阻抗增加，因而可以提升发光效率，且本发明可让该发光层的主要发光区远离该N型电极，可减少该N型电极的光遮蔽量而提升发光亮度。
一种电流扩散结构发光二极管与其制造方法

[发明专利]光电元件及其制造方法-CN201110029465.6有效
发明人：彭韦智;谢明勋;许明祺;颜伟昱;王俊凯;陈彦志;洪详竣 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种光电元件及其制造方法，该光电元件包括：基板及位于基板之上的第一过渡叠层，其中第一过渡叠层包括至少一第一过渡层，位于基板之上，且第一过渡层内部具有至少一孔洞结构，及第二过渡层，为非故意掺杂层或未掺杂层，且位于第一过渡层之上。
光电元件及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN200810171059.1有效
发明人：王俊凯;洪详竣;许育宾;朱瑞溢;吴欣显;颜伟昱 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-11-06 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的主要目的是披露一种发光元件，包含半导体叠层，其中具有有源层，且此有源层是由多个量子阱层与多个垒层交错堆叠的多量子阱(multiple quantum well，MQW)结构，其多个垒层中至少有一掺杂垒层(dopedbarrier layer)与一未掺杂垒层(undoped barrier layer)。由此掺杂垒层可提高空穴的载流子迁移率，均匀化有源层中发光区域并提升发光元件的内量子效率(Internal Quantum Efficiency，IQE)。
发光元件

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