[发明专利]集成电路及其操作方法,存储器,无线装置及设备有效

专利信息
申请号: 201110379145.3 申请日: 2004-04-02
公开(公告)号: CN102420011A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 陈楠;钟成;迈赫迪·哈米迪·萨尼 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C11/4074 分类号: G11C11/4074;G11C11/413
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王允方
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及集成电路及其操作方法,存储器,无线装置及设备。本发明提供一种CMOS集成电路(例如,SRAM或DRAM),其被分成一核心块、一外围块和一保留块。所述核心块包括在所有时刻都被通电的电路(例如,存储单元)且直接耦接到电源和电路接地端。所述外围块包括可被通电或断电且通过一个头开关(head switch)耦接到电源和/或通过一个脚开关(foot switch)耦接到电路接地端的电路。可用高阈电压(高Vt)FET装置建构所述开关和所述核心块以减少泄漏电流。可用低Vt FET装置建构所述外围块以进行高速操作。所述保留块包括将信号线(例如,字线)保持在一预定的电平上的电路(例如上拉装置(pull-up device)),以便当所述外围块断电时可保持所述核心块的内部状态。
搜索关键词: 集成电路 及其 操作方法 存储器 无线 装置 设备
【主权项】:
一种操作一集成电路的方法,其包含:保持一核心块的供电,所述核心块由复数个高阈电压(高Vt)场效应晶体管(FET)装置组成;在一操作模式中通过至少一个开关给一外围块通电,其中所述外围块包含复数个低阈电压(低Vt)FET装置;和在一备用模式中通过所述至少一个开关使所述外围块断电。
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