[发明专利]增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法无效
| 申请号： | 201110373547.2 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102394263A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 尹志岗;张曙光;张兴旺;董敬敬;高红丽;施辉东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法，该方法是在n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的n-ZnO薄膜中插入一层Ag纳米颗粒，利用Ag局域态表面等离激元与ZnO近带边发光强的相互耦合作用，来提高n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能。实验发现Ag纳米颗粒的局域态表面等离激元共振峰与ZnO近带边发光峰的位置相近，满足共振耦合条件，且粗糙的Ag纳米颗粒的表面有利于等离激元有效耦合成光且能够明显提高光的抽取效率。利用本发明，显著提高了n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 zno aln gan 发光二极管 电致发光 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种增强n‑ZnO/AlN/p‑GaN发光二极管的电致发光性能的方法，其特征在于，该方法是在n‑ZnO/AlN/p‑GaN发光二极管的n‑ZnO薄膜中插入一层Ag纳米颗粒，利用Ag局域态表面等离激元与ZnO近带边发光强的相互耦合作用，来提高n‑ZnO/AlN/p‑GaN异质结发光二极管电致发光性能。
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