[发明专利]HEMT器件及其制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种可用于Ka波段或更高频段的HEMT器件及其制造方法，该方法包括：提供包括衬底、缓冲层、外延层、帽层、源极、漏极和钝化层的基底；在基底表面内形成穿过钝化层、帽层并深入到外延层表面内的栅槽；在栅槽底面上形成T型栅，T型栅的栅脚边缘与栅槽侧壁具有一定间距，栅帽下表面高于钝化层上表面且与钝化层上表面具有一定间距。本发明实施例中由于T型栅的栅脚和栅帽均未与钝化层的介质直接接触，而是保留了一定间隔，从而在根本上降低甚至消除了栅与介质之间产生的寄生电容，减小了器件的栅源电容和栅漏电容，增大了器件的截止频率和最高振荡频率，使器件可工作于Ka波段及其以上频段，提高了器件的功率特性。

主权项

一种HEMT器件制造方法，可用于Ka波段或更高频段，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底表面上的缓冲层，位于所述缓冲层表面上的外延层、位于所述外延层表面上的帽层以及位于所述帽层表面上的源极、漏极和钝化层；在所述基底表面内形成栅槽，所述栅槽穿过所述钝化层、帽层并深入到所述外延层表面内；在所述栅槽底面上形成T型栅，所述T型栅的栅脚边缘与所述栅槽侧壁具有一定间距，所述T型栅的栅帽下表面高于所述钝化层上表面且与所述钝化层上表面具有一定间距。