[发明专利]一种刻蚀金属钼材料的方法有效
| 申请号： | 201110362349.6 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102417156A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 陈兢;胡佳;张轶铭;陈书慧;李男男;罗进 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀金属钼材料的方法，在金属钼材料上形成刻蚀掩膜，然后采用高密度等离子体(如ICP、TCP等)干法刻蚀工艺，产生高密度、高能量离子和自由基，实现了对金属钼体材料的高速率、各向异性刻蚀。刻蚀速率可达2.63微米每分钟，刻蚀结果侧壁的陡直度可达70°。基于本发明的方法，可利用金属钼衬底基片作为制备MEMS器件的主体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 金属 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀金属钼材料的方法，在金属钼材料上形成刻蚀掩膜，然后对金属钼材料进行高密度离子体干法刻蚀，其中，等离子体密度大于1012cm‑3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110362349.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锁角器及其框架组合
- 下一篇：一种PHA/PLA共混合金及其制备方法
