[发明专利]一种刻蚀金属钼材料的方法

权利要求书

1.一种刻蚀金属钼材料的方法，在金属钼材料上形成刻蚀掩膜，然后对金属钼材料进行高密度离子体干法刻蚀，其中，等离子体密度大于10¹²cm^-3。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用感应耦合或变压器耦合产生高密度等离子体，对金属钼材料进行干法刻蚀。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，采用感应耦合等离子体或变压器耦合等离子体刻蚀，设定线圈功率≥600W，平板功率≥150W，刻蚀过程中下电极托盘设置温度≤5℃，刻蚀腔体内气压≤50mTorr。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀气体包括氟基气体、氯基气体、溴基气体或它们的组合。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，刻蚀气体还包括O₂和/或Ar。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，采用SF₆和O₂的气体组合作为刻蚀气体。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，O₂气体流量占SF₆和O₂气体总流量的60％～80％。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，SF₆气体流量为50sccm～200sccm。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，刻蚀气体中还添加有流量为5sccm～50sccm的Cl₂。

10.如权利要求3所述的方法，其特征在于，采用感应耦合等离子体干法刻蚀对金属钼材料进行刻蚀，刻蚀参数是：线圈功率为600瓦～1000瓦；平板功率为100瓦～400瓦；下电极托盘设置温度≤5℃；腔体气压≤50mTorr；刻蚀气体是SF₆、O₂和Cl₂的组合气体，其中SF₆气体流量为50sccm～200sccm，O₂气体流量占SF₆和O₂流量之和的60％～80％，Cl₂气体流量为5sccm～50sccm。