[发明专利]半导体装置及制作外延层的方法

摘要

本发明公开一种半导体装置及制作外延层的方法。该半导体装置包括一半导体基底以及多个晶体管。半导体基底具有至少一宽疏区域(iso region)或称为开放区域(open region)及至少一密集区域(dense region)。多个晶体管分别设置于宽疏区域及密集区域，且各晶体管包括至少一源极/漏极区，其中源极/漏极区均包括一具有底部厚度以及一侧边厚度的第一外延层，且第一外延层的底部厚度实质上大于或等于第一外延层的侧边厚度。

主权项

一种制作外延层的方法，包括：提供一半导体基底，且该半导体基底包括至少一凹槽；进行一第一选择性外延成长(selective epitaxial growth，SEG)制作工艺，在该凹槽内形成一第一外延层，其中该第一选择性外延成长制作工艺包括：一操作压力，且该操作压力实质上小于或等于10托耳(torr)；以及通入一气体，该气体包括二氯硅烷(Dichlorosilane,DCS)、锗烷(GeH4)以及氯化氢(HCl)等，且二氯硅烷、锗烷以及氯化氢等气体具有一浓度比是(0.5‑2.1):(1.5‑3.3):1，以及设置一第二外延层于该第一外延层之上，该第一外延层不包括导电型掺质，该第二外延层包括导电型掺质，其中该第一外延层包括一底部厚度以及一侧边厚度，该底部厚度与该侧边厚度的比值实质上大于或等于1.4。