[发明专利]可编程的多晶硅熔丝器件结构以及其工艺实现方法无效
| 申请号： | 201110355675.4 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103107159A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 仲志华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可编程的多晶硅熔丝器件结构以及其工艺实现方法，该结构包括：N、P型的高阻值的多晶硅电阻，NP二极管，阴、阳极接触端；其方法包括：1)在P型衬底上生成氧化层场区；2)在氧化层场区上，生成多晶硅区域；3)多晶硅区域的一侧形成P型多晶硅，另一侧形成N型多晶硅，在N、P型交界处形成NP二级管；4)在P、N型的高阻值多晶硅电阻区产生氧化硅或氮化硅，以阻止金属硅化物的形成；5)在多晶硅上的P型的低阻值的多晶硅电阻区和N型的低阻值的多晶硅电阻区形成金属硅化物；6)形成通孔和金属连线，完成多晶硅熔丝器件的阴阳极端的引出。本发明可应用在多种工艺上，且其可靠性以及器件的良率得到了很好的保证。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 多晶 硅熔丝 器件 结构 及其 工艺 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种可编程的多晶硅熔丝器件结构，其特征在于，包括：N型的高阻值的多晶硅电阻，P型的高阻值的多晶硅电阻，NP二极管，阴极接触端，阳极接触端；其中，NP二极管形成于N、P型的高阻值的多晶硅电阻的交界面上，阴、阳极接触端分别通过N型的高阻值的多晶硅电阻、P型的高阻值的多晶硅电阻连接。
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