[发明专利]柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺无效

专利信息
申请号: 201110354717.2 申请日: 2011-11-10
公开(公告)号: CN102400088A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 赵慨;冯煜东;王艺;王志民;速小梅 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
主分类号: C23C14/02 分类号: C23C14/02;C23C14/35;H01J37/32
代理公司: 甘肃省知识产权事务中心 62100 代理人: 马英
地址: 730000*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 一种柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺,将柔性金属基底卷绕在卷绕机构上,该卷绕机构放置在真空室内;打开真空泵组,将真空室抽真空至3x10-3Pa,调节Ar气流量为10~15sccm,使真空室真空度为2x10-1~3x10-1Pa;打开辉光电源,将电压施加在辉光源和真空室之间,待起辉后调节电源电压为250~350V、电流为1~3A和功率为300~800W,之后打开档板,控制卷绕辊的线速度从而通过镀膜辊带动绕在所述放卷辊上的柔性金属基底移动并进行活化。本发明对柔性金属基底采用大束流低电压等离子体连续活化工艺,不但使镀制的膜层附着力好,而且速度快,利于进行大面积连续活化和批量镀膜生产。
搜索关键词: 柔性 金属 基底 辉光 大束流低 电压 等离子体 活化 工艺
【主权项】:
一种柔性金属基底辉光大束流低电压等离子体活化工艺,其特征在于:将柔性金属基底(2)卷绕在卷绕机构上,该卷绕机构放置在真空室内,将与卷绕机构放卷辊(1)同轴连接的磁粉离合器的张力调节为1~1.5N,调节辉光源和卷绕机构镀膜辊(4)的距离为10cm,调节该镀膜辊温度为15~20℃;打开真空泵组,将真空室抽真空至3x10‑3Pa,打开质量流量计,调节Ar气流量为10~15sccm,使真空室真空度为2x10‑1~3x10‑1Pa;打开辉光电源,将电压施加在辉光源和真空室之间,待起辉后调节电源电压为250~350V、电流为1~3A和功率为300~800W,等电源各项参数稳定后打开不锈钢档板(3),控制卷绕机构收卷辊(5)的线速度为3~10mm/s,从而通过镀膜辊(4)带动绕在所述放卷辊(1)上的柔性金属基底(2)移动并进行活化。
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