[发明专利]MOS器件闩锁效应的监测结构

摘要

本发明公开了一种MOS器件闩锁效应的监测结构，包括从左到右依次相邻接的模拟输入输出区域、模拟防护环区域、模拟内部电路区域；所述模拟内部电路区域，包括一个P阱和多个N阱，每个N阱中分别形成有一对有源区，每个N阱上方或下方的P阱中分别形成有一对有源区，每对有源区由一N+有源区和一P+有源区组成，各个N阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧，P阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧。本发明的MOS器件闩锁效应的监测结构，能定量的给出实际的MOS器件输入输出区域到内部电路安全距离。

主权项

一种MOS器件闩锁效应的监测结构，其特征在于，包括从左到右依次相邻接的模拟输入输出区域、模拟防护环区域、模拟内部电路区域；所述模拟输入输出区域，为一个N阱，所述输入输出区域N阱左部中形成有一N+有源区，右部中形成有一P+有源区；所述模拟防护环区域，包括从左到右依次相邻接的一个P阱、一个N阱，所述防护环区域P阱中形成有一P+有源区，所述防护环区域N阱中形成有一N+有源区；所述模拟内部电路区域，包括一个P阱和多个N阱；模拟内部电路区域的所述多个N阱嵌在模拟内部电路区域的所述P阱间；模拟内部电路区域的所述多个N阱中的每个N阱中分别形成有一对有源区，模拟内部电路区域的所述多个N阱中的每个N阱上方或下方的P阱中分别形成有一对有源区，每对有源区由一N+有源区和一P+有源区组成，模拟内部电路区域的各个N阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧，模拟内部电路区域的P阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧。