[发明专利]一种氧化钨通孔的制作方法无效
| 申请号： | 201110349717.3 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103094474A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 郁新举 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化钨通孔的制作方法，包括步骤：1)按现有工艺形成钨通孔，并填充钨以及进行钨平坦化；2)通过氧化作用形成氧化钨；3)采用化学气相沉积的方法在步骤2)形成的表面沉积一层氧化膜或能实现相同效果的介电质层；4)采用研磨的方式或者干法回刻的方法，将该氧化膜或能实现相同效果的介电质层，磨至氧化钨露出，从而形成氧化钨的通孔。本发明解决了顶层金属层与钨通孔钛氮化合物阻挡层之间形成的漏电通路问题，并能提高阻变存储器擦写操作窗口及可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钨 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氧化钨通孔的制作方法，其特征在于，包括步骤：(1)按现有工艺形成钨通孔，并填充钨以及进行钨平坦化；(2)通过氧化作用形成氧化钨；(3)使用化学气相沉积的方法，在氧化钨的表面沉积一层氧化膜或能实现相同效果的介电质层；(4)采用研磨的方式或者干法刻蚀回刻的方式，将该氧化膜或能实现相同效果的介电质层，磨至氧化钨露出，从而形成氧化钨的通孔。
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