[发明专利]切割、研磨硅片表面清洗方法

摘要

本发明公开了一种切割、研磨硅片表面清洗方法，将硅片连同硅片的承载体依次浸入下述工位并完成相应的过程清洗：设有软化水和鼓泡的一工位清洗槽内超声溢流漂洗等，本发明克服了酸与碱易产生中和反应的问题，使三工位和四工位的碱性清洗液PH值保持恒定，碱性清洗液的浓度保持稳定，碱性清洗液的去污能力持久有效。通过本发明方法清洗的切割、研磨硅片，其表面洁净度高，重复性好，色泽一致；避免产生花斑、发蓝、发黑等氧化现象，经清洗的硅片合格率高；同时，工艺规定的清洗量有效期内中途不需要添加清洗液，操作简单，而清洗液的有效使用周期得到成倍提高，清洗成本明显降低；清洗质量和经济效益获得明显提高。

主权项

切割、研磨硅片表面清洗方法，将硅片连同硅片的承载体依次浸入下述工位并完成相应的工序，设有软化水和鼓泡的一工位清洗槽内超声溢流漂洗；设有酸溶液和鼓泡的二工位的清洗槽中超声清洗；设有碱性清洗剂的三工位的清洗槽超声溢流清洗；设有碱性清洗剂的四工位的清洗槽超声清洗；设有去离子水的五至八工位清洗槽内超声溢流漂洗，其特征在于：所述的硅片连同硅片的承载体从二工位的清洗槽超声清洗后浸入设有软化水工位的清洗槽超声溢流漂洗后，再依次后浸入设有碱性清洗剂的三工位超声溢流清洗、设有碱性清洗剂的四工位的清洗槽超声清洗，然后，依次浸入五至八工位的高频率超声波设置的清洗槽中阶梯循环溢流超声漂洗；所述的硅片连同硅片的承载体从八工位去离子水清洗后进入设有高纯氮气温度为100~120℃的九工位离心甩干，而后下料。