[发明专利]一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法及芯片有效
| 申请号： | 201110338607.7 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094134A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 陈兆同;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/00;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法及芯片，以增加芯片中压焊块区域的金属层的厚度，降低对芯片进行打线过程中打穿压焊块区域的金属层的概率。方法包括：在芯片的第一金属层上沉积钝化层，第一金属层覆盖在设置有压焊块区域的硅衬底上；在钝化层上涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行曝光和刻蚀，将覆盖在芯片上的压焊块区域的光刻胶蚀刻掉；对所述钝化层进行各向同性刻蚀，将覆盖在所述压焊块区域的钝化层以及被光刻胶层覆盖的部分钝化层蚀刻掉，裸露第一金属层中覆盖在压焊块区域的金属层；在光刻胶层与覆盖在压焊块区域的金属层上生成第二金属层；采用剥离液溶解光刻胶层，以去除光刻胶层及剥落覆盖在光刻胶层上的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 芯片 压焊块 区域 金属 厚度 方法 | ||
【主权项】：
一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法，其特征在于，包括：在芯片的第一金属层上沉积钝化层，所述第一金属层覆盖在设置有压焊块区域的硅衬底上；在所述钝化层上涂覆光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光和刻蚀，将覆盖在芯片上的压焊块区域的光刻胶蚀刻掉；对所述钝化层进行各向同性刻蚀，将覆盖在所述压焊块区域的钝化层以及被光刻胶层覆盖的部分钝化层蚀刻掉，以使得钝化层的刻蚀面大于光刻胶层的刻蚀面，且钝化层的刻蚀面完全覆盖光刻胶层的刻蚀面；裸露所述第一金属层中覆盖在所述压焊块区域的金属层；对所述芯片进行金属沉积，在所述光刻胶层与覆盖在压焊块区域的金属层上生成第二金属层；采用剥离液溶解光刻胶层，以去除光刻胶层及剥落第二金属层中覆盖在光刻胶层上的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
