[发明专利]形成栅极导体结构的方法

摘要

本发明公开了一种形成栅极导体结构的方法。其特征在于包括：提供基材，其上设置有栅极层，栅极层包含有第一层及第二层；于栅极层上形成多层硬掩模，而且多层硬掩模包含有第一硬掩模层、第二硬掩模层和第三硬掩模层；于多层硬掩模上形成光致抗蚀剂图案；进行第一蚀刻工艺，以光致抗蚀剂图案当作第一蚀刻抵挡层，蚀刻第三硬掩模层；进行第二蚀刻工艺，以图案化第三硬掩模层当作第二蚀刻抵挡层，蚀刻第二硬掩模层及第一硬掩模层；以及进行第三蚀刻工艺，以图案化第一硬掩模层当作第三蚀刻抵挡层，蚀刻栅极层的第二层。

主权项

一种形成栅极导体结构的方法，其特征在于包括：提供基材，其上设置有栅极层，所述栅极层包含有第一层和位于所述第一层上的第二层；在所述的栅极层上形成多层硬掩模，其中所述的多层硬掩模包含有第一硬掩模层、位在所述第一硬掩模层上的第二硬掩模层，及位于所述第二硬掩模层上的第三硬掩模层；在所述的多层硬掩模上形成光致抗蚀剂图案；进行第一蚀刻工艺，以所述光致抗蚀剂图案当作第一蚀刻抵挡层，蚀刻所述第三硬掩模层，形成图案化第三硬掩模层；进行第二蚀刻工艺，以所述图案化第三硬掩模层当作第二蚀刻抵挡层，蚀刻所述第二硬掩模层及所述第一硬掩模层，而形成图案化第一硬掩模层；以及进行第三蚀刻工艺，以所述图案化第一硬掩模层当作第三蚀刻抵挡层，蚀刻所述栅极层的所述第二层，形成图案化第二层。