[发明专利]高抗折强度半导体晶元改良结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110322396.8 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103066026A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 花长煌 | 申请（专利权）人： | 稳懋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;B28D5/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种高抗折强度半导体晶元改良结构及其制造方法，其中前述改良结构包括有一基板、一主动层、一金属层；其中该主动层，形成于该基板正面，且该主动层包含有至少一集成电路；而其中该金属层形成于该基板背面，且该金属层完整覆盖住该基板背面相对于该主动层的集成电路的区域。运用本发明的特殊切割方式，可以将该金属层及该基板整齐切割，切割后的单晶片四周的基板金属层交界处不易产生裂痕，如此可大幅增强该单晶片的抗折强度。 | ||
| 搜索关键词： | 高抗折 强度 半导体 改良 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高抗折强度半导体晶元改良结构，其特征在于，其主要结构包括有：一基板；一主动层，形成于该基板正面，且该主动层包含有至少一集成电路；以及一金属层，形成于该基板背面，且该金属层完整覆盖住该基板背面相对于该主动层的集成电路的区域。
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