[发明专利]溅射用靶材、含硅膜的形成方法和光掩模坯有效
| 申请号： | 201110322364.8 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102453862B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 金子英雄;稻月判臣;吉川博树 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;G03F1/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 杨海荣,穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及溅射用靶材、含硅膜的形成方法和光掩模坯。本发明提供了在溅射过程期间不易产生粒子且形成低缺陷(高品质)含硅膜的硅靶材。将室温下的比电阻为20Ω·cm以上的硅靶材用于形成该含硅膜。所述硅靶材可以为多晶或非晶的。然而，当所述硅靶材为单晶时，可以获得更稳定的放电状态。另外，其中通过FZ方法生长晶体的单晶硅是作为高纯硅靶材的优选材料，因为其氧含量低。另外，具有n型导电性且含有施主杂质的靶材是优选的，从而获得稳定的放电特性。可以将根据本发明的仅一种或多种硅靶材用于含硅膜的溅射成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 用靶材 含硅膜 形成 方法 光掩模坯 | ||
【主权项】：
一种制造光掩模坯的方法，其包括使用在室温下的比电阻为50Ω·cm以上、导电性为n型的硅靶材通过DC溅射方法形成含硅膜，所述含硅膜含有氧和氮中的至少一种作为主要构成元素。
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