[发明专利]IGBT器件背面外延场阻挡层的工艺实现方法有效
| 申请号： | 201110310520.9 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN103050397A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张帅;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT器件背面外延场阻挡层的工艺实现方法，包括以下步骤：根据IGBT不同应用电压的范围不同，将区溶单晶衬底减薄至不同的厚度；然后在减薄后的区溶单晶衬底上用外延工艺生在不同浓度及厚度的场截止层。本发明可以减少背面场阻挡层的形成工艺的难度。同时通过长外延的方式形成背面阻挡层，能够很好的控制背面阻挡层的浓度梯度分布和厚度，由于已经采用了高温掺杂的工艺，里面的载流子也得到充分的激活，并且是边长边掺杂的，所以载流子的深度也足够满足场截止和动态特性的要求，省去了高温推阱的成本和氦离子注入的要求，该发明使得IGBT场截止层形成工艺的成本大为降低且掺杂浓度的均匀性可控。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 背面 外延 阻挡 工艺 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT器件背面外延场阻挡层的工艺实现方法，其特征在于，包括以下步骤：根据IGBT不同应用电压的范围不同，将区溶单晶衬底减薄至不同的厚度；然后在减薄后的区溶单晶衬底上用外延工艺生在不同浓度及厚度的场截止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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